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ナノチューブの軸と垂直に磁場

をかけたときは, 有効質量方程式(
1)で,

と置けばよい.
ここで, ランダウゲージ
 |
(4) |
を用いると, 特に

では解析的な取り扱いが可能であり, 波動関数は
である.[
14]
ここで,
であり,

はナノチューブの長さ, 磁気長

,

は第1種の変形ベッセル関数である.

は

が小さいとき

の程度であり,

が大きくなると指数関数的に増大することに注意する.

は磁場に比例したパラメーターであり, ナノチューブの半径と磁気長の比の2乗である.
強磁場(

)では

は円筒の下部

のまわりに局在し,

は上部

に局在する.
その局在長は

の程度である.
一方, 弱磁場(

)では, 波動関数が円周方向に広がっている.
また波動関数(5) に対応する群速度は
である.

は4重に縮退しているのが, 輸送現象を考えるために, ナノチューブに入射する状態と出ていく状態を分離したことになっている.
磁場がないとき,

付近で正負の群速度

をもつ状態がK点とK'点に一組づつあり, 強磁場では群速度の大きさは指数関数的に減少し, それに対応し状態密度が指数関数的に増加する.