分子線エピタキシー法を用いたGaAs, Fe系磁性半導体に関する研究
半導体と磁性体の複合(融合)化によるスピンが関与した物性の制御を目指し、分子線エピタキシー(MBE)法を用いてFe/GaAs磁性半導体ヘテロ構造体、およびGaFeAs希薄磁性半導体の電子構造の解析、薄膜成長法の確立、物性の制御等に関する研究を行いました。
（東京工業大学大学院 在学中における研究）
参考論文
- 羽根田 茂、山浦 正彰、廣瀬 伸吾、原 和彦、宗片 比呂夫, ”MBE法によるFe/GaAsハイブリット構造作製の検討”, 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年, pp. 1300
- 山浦 正彰、羽根田 茂、廣瀬 伸吾、原 和彦、宗片 比呂夫, ”MBE法による希薄磁性半導体GaFeAsの成長”, 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 1998年, pp. 1301
- M. Yamaura, S. Haneda, K. Hara, S. Hirose, S. Harigae, Y. Takatani and H. Munekata, ”Preparation of Fe-based III-V Diluted Magnetic Semiconductor, (Ga,Fe)As”, Prodeedings of 1999 MRS Spring Meeting, 1999, pp. 182.
- S. Hirose, S. Haneda, M. Yamaura, K. Hara and H. Munekata, ”Electronic Structure, Growth, and Structual and Magnetic Properties of Magnetic Semiconductor Fe/GaAs Heterostructures”, Journal of Vacuum Science & Technology B, 18 (2000) 1397.
- S. Hirose, M. Yamaura, S. Haneda, K. Hara and H. Munekata, ”GaFeAs: A Diluted Magnetic Semiconductor Grown by Molecular Beam Epitaxy”, Thin Solid Films, 371 (2000) 272.
- S. Hirose, H. Ibuka, A. Yoshida, N. Kano, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, ”Lattice Contraction and Electrical Conduction of Heavily Carbon Doped AlAs layers Grown by Atomic Layer Epitaxy”, Journal of Crystal Growth, 208 (2000) 49.