微細構造形成のためのIII-V族半導体原子層成長に関する研究
結晶成長が自己形成的に行われる原子層成長 (ALE)法は、極限的な半導体微細構造形成のための完全な制御に向けて極めて有力な手法です。本研究では、膜中への炭素不純物濃度の低減、新しい金属モデルによる成長機構の解明、新しいマスクを用いた量子埋め込み構造の作製、ナノレベルで荒れた表面の平坦化技術の開発等を行いました。
（東京工業大学大学院 在学中における研究）
参考論文
- S. Hirose, N. Kano, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, ”Dimethylamine as a Carbon Remover in Atomic Layer Epitaxy of AlAs”, Japanese Journal of Applied Physics, 34 (1995) L1436
- S. Hirose, N. Kano, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, ”Atomic Layer Epitaxy of AlAs and (AlAs)n(GaAs)n Superlattice Using a New Aluminum Source Ethyldimethylamine Alane”, Journal of Crystal Growth, 172 (1997) 13.
- S. Hirose, M. Yamaura, A. Yoshida, H. Ibuka, K. Hara and H. Munekata, ”Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of AlAs”, Journal of Crystal Growth, 194 (1998) 16.
- S. Hirose, A. Yoshida, M. Yamaura and H. Munekata, ”Surface Smoothing of GaAs Microstructure by Atomic Layer Epitaxy”, Applied Physics Letter, 74 (1999) 964.
- S. Hirose, A. Yoshida, M. Yamaura, K. Hara and H. Munekata, ”Selective Area Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy and Atomic Layer Epitaxy Using Ga2O3 as a Novel Mask Layer”, Japanese Journal of Applied Physics, 38 (1999) 1516.
- S. Hirose, M. Yamaura and H. Munekata, ”Atomic Layer Epitaxy of AlP and (AlP)n(GaP)n Superlattice Using Ethyldimethylamine Alane as a New Aluminum Source”, Applied Surface Science, 150 (1999) 89
- S. Hirose, H. Ibuka, A. Yoshida, N. Kano, K. Hara, H. Munekata and H. Kukimoto, ”Lattice Contraction and Electrical Conduction of Heavily Carbon Doped AlAs layers Grown by Atomic Layer Epitaxy”, Journal of Crystal Growth, 208 (2000) 49.
- S. Hirose, A. Yoshida, M. Yamaura, N. Kano and H. Munekata, ”A Control of Carbon Incorporation in AlAs Grown by Atomic Layer Epitaxy Using Variously Oriented Substrates”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 11 (2000) 7.