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報文目録
中村 健（Ken Nakamura）
国立研究開発法人産業技術総合研究所
計量標準総合センター 分析計測標準研究部門（ウェブサイト）キャリアエキスパート
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央事業所2群 2-10棟
TEL：029-861-5300（部門代表電話）
E-mail：ken.nakamura*aist.go.jp（*を@に変更して使用してください。）
Researchmap（ウェブサイト）
ORCID（ウェブサイト）
A. 原著論文
    1. 中村 健, 山本浩義, 清水 肇, 橋詰宙子, 堂免一成, 大西孝治: “第二高調波発生(SHG)によるSi(111)単結晶表面上の吸着種の研究” 真空 34 (3) pp.151-153 (1991).
    2. K. Nakamura, H. Yamamoto, K. Domen, H. Shimizu and C. Hirose: “Nonlinear Optical Properties of Si(111)7x7: Intensity Behavior of Second Harmonics from the Polarizations along [2-1-1] and [01-1] Axes” Jpn. J. Appl. Phys. 32 (8) pp. 3584-3585 (1993).
    3. K. Nakamura, S. Ichimura and H. Shimizu: “Effect of Optical Breakdown on Second Harmonic Generation from Si(111)7x7 with Nd:YAG Laser” Jpn. J. Appl. Phys. 33 (7B) pp. L1035-L1037 (1994).
    4. K. Nakamura, S. Ichimura and H. Shimizu: “Oxygen adsorption on hydrogen-preadsorbed Si(111)7x7 observed by second harmonic generation (SHG)” Appl. Surf. Sci. 100/101 pp. 444-448 (1996).
    5. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Comparison of initial oxidation of Si(111)7x7 with ozone and oxygen investigated by second harmonic generation” J. Vac. Sci. Technol. A 15 (4) pp.2441-2445 (1997).
    6. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Analysis by Surface-sensitive Second Harmonic Generation of Si(111)7x7 Exposed to High-purity Ozone Jet for Oxide Film Formation” Surf. Interface Anal. 25 (2) pp. 88-93 (1997).
    7. 村上 寛, 姜 熙載, 黒河 明, 中村 健, 一村信吾: “活性酸素発生用イオン源” 真空 40 (3) pp.333-335 (1997).
    8. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Increased rate of ozone adsorption on Si(111)-(7x7) with nitrogen preadsorption” Surf. Sci. 402-404, pp.165-169 (1998).
    9. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Hydrofluoric acid etching of ultra thin silicon oxide film fabricated by high purity ozone” Thin Solid Films, 343-344, pp. 361-364 (1999).
    10. K. Nakamura, S. Ichimura, A. Kurokawa, K. Koike, G. Inoue and T. Fukuda: “Ultrathin silicon oxide film on Si(100) fabricated by highly concentrated ozone at atmospheric pressure” J. Vac. Sci. Technol. A 17 (4) pp. 1275-1279 (1999).
    11. A. Kurokawa, K. Nakamura, S. Ichimura and D. W. Moon: “Reduction of the interfacial Si displacement of ultrathin SiO2 on Si(100) formed by atmospheric-pressure ozone” Appl. Phys. Lett. 76 (4) pp. 493-495 (2000).
    12. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Initial Oxidation of Si(100)2x1 by Ozone: Transition of Growth Kinetics from Adsorption to Ultrathin Film Growth” Jpn. J. Appl. Phys. 39 (4B) pp. L357-L359 (2000).
    13. 黒河 明, 一村信吾, 中村 健, 井藤浩志: “試料導入室における試料汚染要因” 真空 43 (3) pp.247-250 (2000).
    14. S. Ichimura, K. Koike, A. Kurokawa, K. Nakamura and H. Itoh: “XPS analysis of ultrathin SiO2 film growth on Si by ozone” Surf. Interface Anal. 30 (1) pp. 497-501 (2000).
    15. S. Ichimura, A. Kurokawa, K. Nakamura, H. Itoh, H. Nonaka, K. Koike: “Ultrathin SiO2 film growth on Si by highly concentrated ozone” Thin Solid Films 377/378 pp. 518-524 (2000).
    16. H. Itoh, K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Initial oxidation process by ozone on Si(100) investigated by scanning tunneling microscopy” Surf. Sci. 482/484 pp.114-120 (2001).
    17. K. Koike, S. Ichimura, A. Kurokawa and K. Nakamura: “Highly concentrated ozone gas supplied at an atmospheric pressure condition as a new oxidizing reagent for the formation of SiO2 thin film on Si” J. Electr. Mater. 31 (2) pp. 108-112 (2002).
    18. K. Nakamura, S. Ichimura, A. Kurokawa and K. Koike: “Effect of Highly Concentrated Ozone on the Etching Properties of Preoxide Films on Si(100)” Jpn. J. Appl. Phys. 41 (7A) pp. L754-757 (2002).
    19. A. Kurokawa, T. Narushima, K. Nakamura, H. Nonaka, S. Ichimura, A. N. Itakura and M. Kitajima: “Relation between ozone-oxidation and stress evolution on H-Terminated Si surface” Jpn. J. Appl. Phys. 43 (1) pp. 281-286 (2004).
    20. K. Nakamura and S. Ichimura: “Vibrational spectroscopic study of the interface of SiO2/Si(100) fabricated by highly concentrated ozone: direct evidence for less strained Si-O-Si bond angle” Jpn. J. Appl. Phys. 44 (10) pp. 7602-7604 (2005).
    21. 中村 健, 野中秀彦, 亀田直人, 西口哲也, 一村信吾: “1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾンによるシリコン酸化膜成長：赤外吸収スペクトルによる解析” J. Vac. Soc. Jpn. 51 (3) pp. 224-227 (2008).
    22. K. Nakamura, H. Nonaka, N. Kameda, T. Nishiguchi and S. Ichimura: “Photochemical reaction of ozone and 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane (HMDS): Analysis on the gas reaction between precursors of a photo-CVD process” Jpn. J. Appl. Phys. 47 (9) pp. 7349–7355 (2008).
    23. N. Kameda, T. Nishiguchi, Y. Morikawa, M. Kekura, K. Nakamura, T. Ushiyama, H. Nonaka and S. Ichimura: “Evaluation of outermost surface temperature of silicon substrates during UV-excited ozone oxidation at low temperature” Anal. Sci. 26 (2)，pp.273-276 (2010).
    24. T. Hosokai, H. Matsuzaki, A. Furube and K. Nakamura: “Photoelectron detection from transient species in organic semiconducting thin films by dual laser pulse irradiation” Appl. Phys. Express 10 (2) 022401 (4 pages) (2017).
    25. T. Miura, N. Kameda, M. Kekura, H. Nonaka and K. Nakamura: “Formation of OH Species from the Mixture of Ethylene and Highly Concentrated Ozone Gases” in preparation.
    26. N. Kameda, T. Hagiwara, A. Abe, T. Nishiguchi, Y. Okamura, K. Nakamura, and H. Nonaka: “Room temperature atomic layer deposition (ALD) using high-purity ozone gas: A case of initial trimethylaluminum (TMA) oxidation” in preparation.
    27. K. Nakamura, N. Kameda, T. Nishiguchi, H. Nonaka and S. Ichimura: “Partial pressure measurement of an ozone gas: Evaluation of its dissociation by infrared absorbance” in preparation.
B. 国際会議　抄録
    1. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “Initial oxidation on clean and hydrogen-terminated silicon surfaces by high-purity ozone in an ultrahigh vacuum environment” Proceedings of the Third International Symposium on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS ’96) pp.279-282 (1996). ISBN 90-334-3758-9.
    2. H. Nonaka, A. Kurokawa, K. Nakamura and S. Ichimura: “Surface Oxidaton of Si(111) by High Purty Ozone and Negative ions Produced by Rydberg Electron Transfer” Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 446 pp.53-58 (1997).
    3. S. Ichimura, H. Nonaka, A. Kurokawa and K. Nakamura: ”Application of high purity ozone beam in the formation and characterization of SiO2 and other oxide thin films” Proceedings of the 3rd Intern. Conf. on Electric charge in Solid Insulators, pp. 100-109 (1998). ISSN1266-0167.
    4. A. Kurokawa, K. Nakamura and S. Ichimura: “Hydrogen passivation and ozone oxidation of silicon surface” Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 513 pp.37-42 (1998).
    5. K. Nakamura, A. Kurokawa and S. Ichimura: “In-situ Surface and Interface Characterization by Optical Second Harmonic Generation (SHG) of Silicon Dioxide Fabrication with High Purity Ozone” AIP Conf. Proc. 449 pp.326-330 (1998).
    6. A. Kurokawa, T. Maeda, K. Sakamoto, H. Itoh, K. Nakamura, K. Koike, D. W. Moon, Y. H. Ha, S. Ichimura and A. Ando: “Ultrathin Silicon Dioxide Formation by Ozone on Ultraflat Si Surface” Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 567 pp.21-26 (1999).
    7. K. Koike, G. Inoue, S. Ichimura, K. Nakamura, A. Kurokawa and H. Nonaka: “Development of high purity one atm ozone source-its application to ultrathin SiO2 film formation on Si Substrate” Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 567 pp.121-126 (1999).
    8. S. Ichimura, K. Nakamura, A. Kurokawa and H. Itoh: “Growth mechanism of SiO2 ultra-thin film on Si(100) by highly concentrated ozone supplied at low and high pressure conditions” Proceedings of the 4th International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, pp.67-77 (2000) (H. Z. Massoud, I. Baumvol, M. Hirose, E. H. Poindexter, ed.) ISBN 1-56677-267-2.
    9. A. Kurokawa, K. Nakamura and S. Ichimura: “Directional Mass Analysis of Ozone Dissociation during Thin Oxide Formation with Highly Concentrated Ozone” AIP Conf. Proc. 550 pp.191-195 (2001).
C.総説・解説
    1. 一村信吾, 野中秀彦, 黒河 明, 中村 健: “純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用” 表面科学 18 (12) pp.766-774 (1997).
    2. 一村信吾, 黒河 明, 中村 健, 野中秀彦: “高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング” 応用物理 67 (6) pp.673-677 (1998).
    3. 一村信吾, 黒河 明, 中村 健, 井藤浩志: “高濃度オゾンガスを用いた極薄シリコン酸化膜形成” 応用物理学会薄膜･表面物理分科会NEWSLETTER 106 pp.8-13 (1999).
    4. 一村信吾, 野中秀彦, 黒河 明, 中村 健: “高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術” 電子材料 42 (5) pp.36-41 (2003).
    5. C. K. Fink, K. Nakamura, S. Ichimura and S. J. Jenkins: “Silicon oxidation by ozone” (Topical Review), J. Phys.: Condens. Matter 21(18) 183001 (19 pages) (2009).
    6. 亀田直人, 三浦敏徳, 森川良樹, 花倉 満, 中村 健, 野中秀彦: “高純度オゾンガスとエチレンガス由来の活性種を用いた新たな低温成膜法” 表面と真空, 62 (7) pp.433-438 (2019).
D.　著書　（分担執筆）
    1. 大里雅昭, 中村 健: “ガス・化学物質管理” in: 最新 実用真空技術総覧 編集委員会・編、“最新 実用真空技術総覧” pp.383-385 (2019, エヌ・ティ・エス, 東京). ISBN 978-4-86043-559-2.
E. 研究所　刊行物
  1. 中村 健: “2次非線形光学効果を用いた固体表面評価技術” in: 先導研究 「フェムト秒テクノロジー」分科会・編、“フェムト秒テクノロジーに関する調査報告” 電子技術総合研究所調査報告 225 pp.53-56 (1994). ISSN 0366-9084.
  2. 中村 健, 一村信吾: “非線形光学効果と表面/界面物性” in: 表面エレクトロニクス研究会・編、“表面エレクトロニクスに関する調査報告” 電子技術総合研究所調査報告 226 pp.55-62 (1996). ISSN 0366-9084.
  3. 黒河 明, 一村信吾, 中村 健: “高濃度オゾンで形成した極薄シリコン酸化膜の界面構造” 電子技術総合研究所彙報 63 (12) pp.501-507 (1999). ISSN 0366-9092
  4. 産総研ナノインテリジェント計測調査委員会（中村 健・執筆担当） “第４章 分析機器及び分析技術に対する民間企業調査: 4.1 調査の背景と目的, 4.2 書面調査の集計結果” in: 産総研ナノインテリジェント計測調査委員会・編 「調査報告書―日本分析機器産業の競争力強化について」 pp.47-104（産総研, 2011年10月, AIST11-B00006-1）. (PDF（6.2 MB))
  5. 中村 健 “2-2-4-5 ナノ計測技術” in: 計量標準120周年記念冊子作成委員会・編 「計量標準120周年記念誌」 submitted （産総研, 2023年11月刊行予定）.
F. その他＊

＊査読を経ない又は軽微な刊行物や学術出版以外の印刷物、等

    ［研究報告］

  1. K. Nakamura and S. Ichimura: “Adsorption of Benzene on Si(111)7x7 at Room Temperature Observed by Second Harmonic Generation (SHG)” [Summary Abstract]　真空 38 (9) p.778 (1995).
  2. 一村信吾, 中村 健, 黒河 明, 野中秀彦, 村上 寛 “高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価” 電子情報通信学会技術研究報告(信学技報)，Vol.97, No.220, CPM9764, pp.13-18 (1997/08).
  3. 黒河 明, 一村信吾, 中村 健 “オゾンによる水素終端シリコン酸化の面方位依存性” [Summary Abstract] 真空 41 (3) p.300 (1998).
  4. 中村 健, 一村信吾 “第二高調波発生(SHG)によるシリコン表面の信号検出深さ” [Summary Abstract] 真空 41 (3) p.389 (1998).
  5. 黒河 明, 一村信吾, 中村 健 “オゾン分解反応計測用指向性質量分析器の指向特性” [Summary Abstract] 真空 42 (3) p.468 (1999).

    ［技術紹介］

  6. 極限技術部表面制御研究室（中村 健, 清水 肇・執筆）“第二高調波発生(SHG)による固体表面評価システム” 電総研ニュース 516 pp.4-7 (1993).
  7. 黒河 明, 一村信吾, 中村 健, 井藤浩志 “R&Dフロント：高濃度オゾンの発生と応用技術” SCIENCE & TECHNONEWS TSUKUBA 52 pp.23-25 (1999).
  8. 黒河 明, 一村信吾, 中村 健, 井藤浩志, 坂本統徳 “極薄シリコン酸化膜の新しい作製手法の開発” 電総研ニュース 600 pp.10-12 (2000). ISSN 0011-846X.
  9. 野中秀彦, 一村信吾, 黒河 明, 村上 寛, 川田正国, 中村 健, 井藤浩志, 大串秀世 “大容量型高純度オゾン発生装置の開発” 電総研ニュース 607 pp.8-11 (2000). ISSN 0011-846X.
  10. 一村信吾, 野中秀彦, 黒河 明, 中村 健 “超高濃度オゾン発生・供給装置の開発と応用” JITA NEWS 410 pp.9-14 (2003). ISSN 0386-3409.

    11. ［会議報告］

  11. 吉森昭夫, 後藤哲二, 中村 健, 魚住清彦, 山崎 尚, 重田諭吉, 中野武雄, 林 主税, 石川雄一, 荒川一郎 (分担執筆) “第14回真空国際会議･第10回固体表面国際会議･第5回ナノメータスケール科学技術国際会議･第10回定量表面分析国際会議(IVC-14/ICSS-10/NANO-5/QSA-10)” [会議報告] 真空 42 (1) pp.41-45 (1999).
  12. 中村 健: “2017年真空・表面科学合同講演会（第37回表面科学学術講演会・第58回真空に関する連合講演会）開催報告” [報告] J. Vac. Soc. Jpn. 60 (12) pp.519-522 (2017).
  13. 中村 健, 後藤康仁: “より実りある学術討論の場の構築を目指して―日本真空学会講演・研究会企画委員会の近年の活動―” [報告] 表面と真空 61 (5) pp.328-333 (2018).

    14. ［その他］

  14. 中村 健: “多様な情報の発信, 交流, 統合を” [巻頭言] 表面と真空 61 (5) p.273 (2018).
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