研究でわかったこと 〜 どこまで問題解決したか

ショットキー障壁に関しては、未だに良く理解されていない以下のような諸問題が存在する。

■ 工学的問題
1. ショットキー障壁高さの制御方法 (第一義的問題)
2. Ohmic接触の作成方法 (あらゆる半導体への電極作成についての必須技術)
3. リーク電流低減のための一般原則
4. 再現性のあるSchottky障壁高さとリーク電流量を得るための一般原則(デバイスの品質を左右)
5. Schottky障壁を利用したデバイスは実用になるか?(MESFETは使えるのか?)

■ 物理学的問題
0. ショットキー障壁での物理量名称
1. 理想界面:界面準位の発生起源
1.1 ショットキー障壁の制御性は半導体材料物性固有か?
1.2 MIGSの信憑性、MIGSのpenetration depthの真の長さの求め方
1.3 誘電率と界面準位発生の相関 July 8, '05. uploaded
1.4 過去測定されたことのない電荷中性点とは何か?
1.5 界面準位と表面準位に相関関係があるのか?
1.6 理想界面とは?また、CowleyとSzeの理想界面モデルの現実性
2. 現実界面での諸問題
2.1 ショットキー障壁高さに影響する外因的要因とは何か?
2.2 電流輸送機構の非理想性
2.2a リーク電流とはどのような物理的機構を持った電流か?=> n値の起源
2.2b パラレルダイオード
2.2c 電流電圧(IV)測定と容量-電圧(CV)測定の誤差の原因
3. 理想界面と現実界面を区別する必要があるのか?

工学的問題は、結局Schottky障壁高さを如何に制御するかということであり、 それは、最終的には、ショットキー障壁高さとその安定性を支配している界面準位の起源は何かということに、帰着する。 従って、工学的問題解決のための一般原理は、物理学的問題の解決に依存している。

本稿では、順次、以上の物理学的問題についての最新の理解の状況を解説してゆく予定である。

平成16年4月27日目次作成(H16.6.3初アップ, H17.7.8. 1.3節up)

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Last updated: July 11 2005. Shiro HARA's Web Site