原 史朗 (はら しろう)



大学在籍中の研究歴

1986年〜 早稲田大学大学院理工学研究科博士後期課程
1988.10〜1989.1 オランダFOM-AMOLF(原子分子国立研究所) 留学
・シリコンやガリウムヒ素では実現できないハイパワーデバイス応用向け新材料のシリコンカーバイド(SiC)に関して、
・当時世界最先端の中速イオン散乱分光装置を用いて解析を行い、SiCの表面構造を世界に先駆けて解明。[PDF](1.1MB)
・その後10年以上に渡るSiC表面研究ブームの端緒を開いた。

1990年 工学博士 博士論文「SiおよびSiC/金属界面に関する研究」
・FOMでの研究成果の他、大規模集積回路の電極特性として重要な、
・シリサイド/シリコン界面のショットキー障壁高さが、シリサイドの物性と強い関係があることを明らかにし、
・ショットキー障壁成因の理解を進める役割を果たした。


職歴

1989年〜1990年 早稲田大学理工学部 助手

1990年〜1993年 理化学研究所 基礎科学特別研究員(半導体工学研究室)
・SiCに関する表面研究のトップレベルを維持する、SiCの原子層制御技術の研究を行い、
・1原子層単位のSiCの堆積技術を実証、また、そのメカニズムを解明。

1993年 工業技術院 電子技術総合研究所 入所
1994年 主任研究官
2001年 工業技術院改組により、独立行政法人 産業技術総合研究所 が設立される。主任研究員
・SiCの表面・界面研究を行う。世界で最も成果を挙げている。■ 論文リスト
・半導体分野での重要課題・「ショットキー障壁の制御技術」に取り組み、 その制御に成功。[PDF](249kB)
・局所クリーン化技術のハイテク化・技術の汎用化の研究。新製造技術としてのハイパーミニプロセスシステムを開発。

2001年〜2002年 (財)新機能素子研究開発協会 出向
2001.6〜 研究開発部長 兼 企画室長
2002.5〜2002.9 研究開発部 統括部長 兼 企画室長
・同協会内部刷新を推し進める一方、
・研究開発プロジェクトのトップランナー方式提案とモデルケース(高周波デバイスPj, MRAM Pj)企画推進、
・21世紀の研究開発の議論の場「サロン」の構想実現など、
・これからのR&Dを見据えて、企業・大学・国研・霞ヶ関の間のコーディネーションに尽力。

2010年1月 産総研コンソーシアム・ファブシステム研究会を設立。代表。

2011年4月 ナノエレクトロニクス研究部門内に ミニマルシステムグループを設置。グループ長。

2012年5月 ミニマルファブ技術研究組合を設立。研究開発部長。ミニマルファブプロジェクト・プロジェクトリーダー。

2012年6月〜2015年3月 経済産業省プロジェクト 「革新的製造プロセス技術開発(ミニマルファブ)」。プロジェクトリーダー。


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Last updated: Aug 9, 2015. Shiro HARA's Web Site