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AIST    香山 正憲 工学博士
  こ う や ま  ま さ の り     
香山正憲

国立研究開発法人 産業技術総合研究所
エネルギー・環境領域 電池技術研究部門

首席研究員

563-8577 大阪府池田市緑丘1-8-31
Tel:072-751-9641
  Fax:072-751-9714

Email: m-kohyama@aist.go.jp

研究分野   計算材料科学
  界面・粒界の電子論
  ナノ構造や格子欠陥の物性
  バンド計算や第一原理分子動力学法のプログラム開発
略  歴 研究経歴 受賞等 原著論文
総説・解説・著書 国際学会等

【略歴】         UP

1982年 東京大学工学部金属材料学科卒業
1985年 東京大学大学院工学系研究科博士課程中退
1992年 「結晶界面の電子論的研究」により東京大学より「工学博士」取得
1985年 工業技術院 大阪工業技術試験所入所
1999年 工業技術院 大阪工業技術研究所 材料物理部 材料計測研究室長
2001年 独立行政法人 産業技術総合研究所、生活環境系特別研究体 総括研究員、ナノ界面機能科学
       研究グループ長,
2004年 同研究所、ユビキタスエネルギー研究部門 主幹研究員、ナノ材料科学研究グループ長兼任

2007年 同研究所、ユビキタスエネルギー研究部門 上席研究員、ナノ材料科学研究グループ長兼任
2015年 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エネルギー・環境領域 電池技術研究部門
首席研究員

【研究経歴】      UP

1985年-1990年 材料界面の原子・電子構造の理論的研究
1990年-1994年 科学技術振興調整費「マテリアルインターコネクションの基盤技術に関する研究」、材料界面の理論的研究を担当
1995年-1999年 科学技術振興調整費「フロンティアセラミックスの設計・創成に関する研究」、セラミックス界面の第一原理計算を担当
1999年-2001年 NEDO提案公募「先進界面設計・解析技術による高性能セラミックス・コーティング開発」、セラミックス/金属界面の第一原理計算を担当
2000年-2002年 JST計算科学技術活用型特定研究開発推進事業、「ナノスケールデバイス設計に向けたデジタルファクトリーの構築」、高効率第一原理計算プログラムの開発を担当
2001年-2006年 NEDOナノテクノロジープログラム(ナノマテリアル・プロセス技術)「ナノコーティング技術プロジェクト」、第一原理計算によるコーティング界面の解明とメゾスコピック手法との連携を担当
2004年-2005年 科研費補助金基盤研究(B) 「金属/無機ナノヘテロ界面の化学反応機能のメカニズムに関する研究」、研究総括
2004年-2007年 JST-CREST「電極二相界面のナノ領域シミュレーション」担当課題「金属/カーボン界面系および金属微粒子電極の構造と化学反応性の第一原理計算」
2006年-2008年 科研費補助金基盤研究(B) 「金属/酸化物ナノへテロ界面の雰囲気依存構造変化のメカニズムに関する研究」研究総括
2006年-2008年 科研費補助金特定領域研究 「巨大ひずみ」担当課題 「第一原理計算による高密度格子欠陥構造の電子論的解明と材料設計」
2010年-2013年 科研費補助金基盤研究(B) 「リチウムイオン電池材料の表面・界面の原子・電子レベル解析」
2010年-2014年 科学研究費補助金、新学術領域研究(研究領域提案型)計画研究「第一原理計算によるバルクナノメタルの基礎物性設計」(分担)
2011年-2015年 CMSI「計算物質科学イニシアティブ」担当課題『計算科学技術推進体制構築の「研究支援」の推進、及び「金属系構造材料の高性能化のためのマルチスケール組織設計・評価手法の開発」の推進』(分担)
2012年- 国家課題対応型研究開発推進事業元素戦略プロジェクト(研究拠点形成型)元素戦略プロジェクト(構造材料)、担当課題「構造材料の粒界・欠陥の基礎物性の第一原理計算」(分担)

【受賞等】      UP

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