研究業績
論文発表
- 1) J.H.Kim, H.Asahi, K.Asami, , S.G.Kim, S.Gonda
- "Growth temperature dependence of optical properties of gas source MBE grown GaP/AlP
short period superlattices."
Appl. Surf. Sci. 82/83 (1994) 76-79
- 2) , H.Asahi, J.H.Kim, X.F.Liu, S.Gonda, Y.Kawaguchi, T.Matsuoka
- "Gas source MBE growth of InAlP band offset reduction layer on p-type ZnSe."
J. Crystal Growth, 150 (1995) pp.833-837.
- 3) J.H.Kim, H.Asahi, K.Asami, , S.G.Kim, T.Ogura, S.Gonda
- "Gas source MBE growth of GaP/AlP modulated superlattices and their optical properties."
J. Crystal Growth, 150 (1995) pp.574-578.
- 4) , H.Asahi, T.Ogura, J.Sumino, S.Gonda, A.Ohki, Y.Kawaguchi and T.Matsuoka
- "Low temperature grown Be-doped InAlP band offset reduction layer to p-type ZnSe."
Journal of Electronic Materials, 25 (1996) pp.637-641.
- 5) , H.Asahi, S.J.Yu, K.Asami, H.Fujita, M.Fushida and S.Gonda
- "High Quality GaN Growth on (0001) Sapphire by Ion-Removed Electron Cyclotron
Resonance Molecular Beam Epitaxy and First Observation of (2x2) and (4x4)
Reflection High Energy Diffraction Patterns."
Jpn.J.Appl.Phys., 35 (1996) pp.L289-L292.
- 6) H.Asahi, K.Yamamoto, , S.Gonda and K.Oe
- "New III-V Compound Semiconductors TlInGaP for 0.9μm to over 10μm Wavelength Range Laser Diodes and Their First Successful Growth."
Jpn.J.Appl.Phys., 35 (1996) pp.L876-L879.
- 7) , H.Asahi, K.Asami and S.Gonda
- "Gas source Molecular Beam Epitaxy growth of GaN1-xPx(x<0.015)
using Ion-Removed Electron Cyclotron Resonance radical cell."
Jpn.J.Appl.Phys., 35 (1996) pp.L1634-L1637.
- 8) R.Kuroiwa, H.Asahi,, S.J.Kim, J.H.Noh, K.Asami and S.Gonda
- "Gas Source Molecular Beam Epitaxy growth of GaN-Rich Side of GaNP Alloy and
Their Observation by Scanning Tunneling Microscopy."
Jpn.J.Appl.Phys., 36 (1996) pp.L3810-L3813.
- 9) , H.Asahi, K.Asami and S.Gonda
- "Gas source Molecular Beam Epitaxy growth of GaN rich side of GaN1-xPx using Ion-Removed Electron Cyclotron Resonance radical cell."
J. Crystal Growth, 175 (1997) pp.150-155.
- 10) H.Asahi, K.Yamamoto, S.Gonda and K.Oe
- "New semiconductors TlInGaP and Their gas source MBE growth."
J. Crystal Growth, 175 (1997) pp.1195-1199.
- 11) K.Yamamoto, H.Asahi, M.Fushida, and S.Gonda
- "Gas source Molecular Beam Epitaxy growth of TlInP new infrared optical devices."
Journal of Applied Physics, 81 (1997) pp.1704-1707.
- 12) , H.Asahi, K.Asami and S.Gonda
- "Gas Source Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN on C-,A-,R-,M-plane Sapphire
and Silica Glass Substrate."
Jpn.J.Appl.Phys., 36 (1997) pp.L661-L664.
- 13) S.Gonda, H.Asahi, and K.Asami
- "GaN and related nitrides by gas source MBE using ion-removed radical cell."
J. Korean Phys. Soc., 30 (1997) pp.S21-S25.
- 14) S.J.Yu, H.Asahi,, R.Kuroiwa, J.H.Noh, K.Asami, S.Gonda
- "Ion-removed ECR-MBE growth of InGaN on (0001) Al2O3."
J. Korean Phys. Soc., 30 (1997) pp.S127-S130.
- 15) , H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda
- "Strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrates by gas source MBE."
J. Crystal Growth, 188 (1998) pp.98-102.
- 16) , H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda
- "GaN-rich side of GaNAs grown by gas source MBE."
Jpn.J.Appl.Phys., 37(3B) (1998) pp.1436-1439.
- 17) , H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, H. Tampo and S. Gonda
- "Promising characteristics of GaN grown on amorphous silica substrates by gas source MBE."
J. Crystal Growth, 189 (1998) pp.218-222.
- 18) R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S.J.Kim, and S. Gonda
- "Optical properties of GaN-rich side of GaNP and GaNAs alloys grown by gas source MBE."
Applied Physics Letters, 73 (1998) pp.2630-2632.
- 19) H. Asahi, , H. Tampo, R. Kuroiwa, M.Hiroki, K. Asami, S.Nakamura and S. Gonda
- "Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MBE."
J. Crystal Growth, 201/202 (1999) pp.371-375.
- 20) , P.Fons, S.Niki, A.Yamada, K.Matsubara and M. Watanabe
- "Nitrogen induced defects in ZnO:N grown on sapphire substrate by gas source MBE."
J. Crystal Growth, 209 (2000) pp.526-531.
- 21) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "ZnO growth on Si by radical source MBE."
J. Crystal Growth , 214/215 (2000) pp.50-54.
- 22) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara, K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Improvement of Electrical Properties in ZnO Thin Films Grown by Radical source(RS)-MBE."
Physica Status Solidi (a) , Vol.180, No.1,(2000) p.287.
- 23) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara, K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Improved Electrical Properties in ZnO Semiconductor Films Grown by Radical Source MBE."
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 26 (2001) pp.993-996.
- 24) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara, K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Bandgap Engineering of ZnO Using Se."
Physica Status Solidi (b) , Vol.229, No.2,(2002) pp.887-890.
- 25) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Natural ordering of ZnOSe grown by radical source MBE."
J. Crystal Growth, 251 (2003) pp.633-637.
- 26) , T.Sakemi, T.Yamamoto, K.Awai, H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Material properties of ZnO thin film for photovoltaic devices grown by URT-IP method"
THIN SOLID FILMS, Vol.445,(2003) pp.274-277.
- 27) , T.Sakemi, T.Yamamoto, K.Awai, H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara, K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Doping properties of ZnO thin film for photovoltaic devices grown by URT-IP method."
THIN SOLID FILMS, Vol.451-452,(2004) pp.219-223.
- 28) , T.Sakemi, T.Yamamoto, K.Awai, H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara, K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Improvement of ZnO TCO film growth for photovoltaic devices by reactive plasma deposition (RPD)."
THIN SOLID FILMS, Vol.480-481,(2005) pp.199-203.
- 29) , H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara, and S.Niki
- "Growth of ZnO and device application."
APPLIED SURFACE SCIENCE, Vol.244, No.4,(2005) pp.504-510.
国際会議発表
- 1) J.H.Kim, H.Asahi, K.Asami, , S.G.Kim, S.Gonda
- "Growth temperature dependence of optical properties of gas source MBE grown GaP/AlP short period superlattices"
3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes, Sendai, Japan, May, 1994
Workbook pp.62-63
- 2) , H.Asahi, J.H.Kim, X.F.Liu, S.Gonda, Y.Kawaguchi, T.Matsuoka
- "Gas source MBE growth of InAlP band offset reduction layer on p-type ZnSe"
8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Osaka, Japan, August, 1994
Workbook pp.285-286
- 3) J.H.Kim, H.Asahi, K.Asami, , S.G.Kim, T.Ogura, S.Gonda
- "Gas source MBE growth of GaP/AlP modulated superlattices and their optical properties"
8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Osaka, Japan, August, 1994
Workbook pp.80-81
- 4) , H.Asahi, T.Ogura, S.Gonda, A.Ohki, Y.Kawaguchi, T.Matsuoka
- "Low temperature grown Be-doped InAlP band offset reduction layer to p-type ZnSe"
7th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Sapporo, May, 1995
- 5) , H.Asahi, S.J.Yu, M.Fushida, K.Asami and S.Gonda
- "High quality GaN growth on (0001) sapphire by ion-removed ECR-MBE
and first observation of (2x2) and (4x4) reconstruction RHEED patterns."
Topical Workshop on III-V Nitrides '95, Nagoya, Japan, September, 1995
- 6) , H.Asahi, S.J.Yu, K.Asami, M.Fushida and S.Gonda
- "ECR-MBE growth of III-V nitrides with ion-removed radical cell."
International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba Univ.,Japan, March, 1996
- 7) , H.Asahi, K.Asami and S.Gonda
- "Gas source Molecular Beam Epitaxy growth of GaN rich side of GaN1-xPx using Ion-Removed Electron Cyclotron Resonance radical cell."
9th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Malibu, California, U.S.A., August, 1996
Workbook pp.2.7
- 8) , H.Asahi, K.Asami, R.Kuroiwa and S.Gonda
- "Ion-removed ECR-MBE growth of GaN on C-, A-, R-, M-plane sapphire, LGO and silica glass."
The 2nd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,
Karuizawa, Japan, Oct.28-Nov.1, 1996, #LN-1
- 9) , H.Asahi, K.Asami, R.Kuroiwa, S.Gonda
- "Ion-removed ECR-MBE growth of GaN on amorphous silica glass substrate"
International Workshop on Hard Electronics, Tsukuba, Japan, Feburuary, 17-18, 1997, #S2, Abstracts P43
- 10) , H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda
- "Strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrates by gas source MBE."
The 6th International Conference on Chemical Beam Epitaxy, Montreux, Switzerland, September, 1997.
- 11) , H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda
- "GaN-rich side of GaNAs grown by gas source MBE."
International Conference on Solid State Devices and Materials, Hamamatsu, Japan, September, 1997.
- 12) H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, H. Tampo and S. Gonda
- "Promising characteristics of GaN grown on amorphous silica substrates by gas source MBE."
The 2nd International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, October, 1997.
- 13) H.Asahi, K.Yamamoto,, S.Gonda and K.Oe
- "New III-V compound semiconductors TlInGaP and their growth by molecular beam epitaxy"
8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,
Schwabisch Gmund, Germany, April, 1996, ThB 2-10,
Coference Proceedings Part 2, pp.34-35
- 14) H.Asahi, K.Yamamoto, , S.Gonda and K.Oe
- "New semiconductors TlInGaP and Their gas source MBE growth."
The 9th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Malibu, California, U.S.A., August, 1996,
Workbook 9.6.
- 15) S.Gonda, H.Asahi, and K.Asami
- (Invited) "GaN and Related Nitrides by Gas Source MBE Using Ion-Removed radical cell."
The 8th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications-1996, Seoul, Korea, October, 1996, Session Ab, A6.
- 16) S.J.Yu, H.Asahi,, R.Kuroiwa, J.H.Noh, K.Asami, S.Gonda
- "Ion-removed ECR-MBE growth of InGaN on (0001) Al2O3."
The 8th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, Seoul, Korea, October, 1996, #A14
- 17) R.Kuroiwa, H.Asahi,, S.J.Kim, J.H.Noh, K.Asami, S.Gonda
- "Gas source MBE growth of GaN rich side of GaNP and their STM observation"
The 4th International Colloqium on Scanning Tunneling Spectroscopy,
Kanazawa, December, 1996, #P-7, Abstracts p.50
- 18) S.Gonda, H.Asahi,, H.Tampo, M.Hiroki, K.Asami and S.Nakamura
- "Highly photoluminescent GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MBE."
The 5th China-Japan Symposium on Thin Films,
November, 1998, Abstracts pp.2-4
- 19) , P.Fons, S.Niki, A.Yamada, K.Matsubara and M. Watanabe
- "Nitrogen induced defects in ZnO:N grown on sapphire substrate by gas source MBE."
7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques;
Tsukuba International Convention Center, Tsukuba, JAPAN
We3-19 presented on Wednesday, July 28, 1999.
- 20) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "ZnO growth on Si by Radical Source MBE."
9th International Conference on II-Vi compounds;
Kyoto International Convention Center, Kyoto, JAPAN
November 5, 1999.
- 21) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara , K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Improvement of Electrical Properties in ZnO Thin Films Grown by Radical source(RS)-MBE."
The 3th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes;
Zeuthen, Berlin, GERMANY
6-10 March 2000.
- 22) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara , K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "ZnO semiconductor growth by Ozone-MBE."
The 13th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with
The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy;
Doshisya university, Kyoto, JAPAN
2001.7.30-8.4.
- 23) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara , K. Nakahara, H. Takasu and S.Niki
- "Bandgap engineering of ZnO using Se."
The 10th International conference on II-VI semiconductor ;
UNIversum Convention Center, Bremen, GERMANY
9-14 September 2001.
- 24) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Natural ordering of ZnOSe grown by radical source MBE"
12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ;
San Francisco, USA
2002/09/18.
- 25) , P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Bandgap Narrowing of ZnOSe films grown by radical source MBE"
2nd International Workshop on Zinc Oxide ;
Dayton, USA
2002/10/23.
- 26) ,T.Sakemi, T.Yamamoto, K.Awai, H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Material properties of ZnO thin film for photovoltaic devices grown by URT-IP method"
The 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics ;
Tokyo, JAPAN
2003/04/10.
- 27) ,T.Sakemi, T.Yamamoto, K.Awai, H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Doping properties of ZnO thin film for photovoltaic devices grown by URT-IP method"
Europian Material Research Society 2003 Spring Meeting ;
Strasbourg, FRANCE
2003/06/11.
- 28) ,T.Sakemi, T.Yamamoto, K.Awai, H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Improvement of ZnO TCO film growth for photovoltaic devices by reactive plasma deposition (RPD)"
Europian Material Research Society 2004 Spring Meeting ;
Strasbourg, FRANCE
2004/05/25.
- 29) , H.Tampo, P.Fons, A.Yamada, K.Matsubara and S.Niki
- "Growth of ZnO and device application"
12th international Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12);
Hamamatsu, JAPAN
2004/06/23.
Awards
- 1) EMS Award for Young Researcher
- THE 16TH ELECTRONIC MATERIALS SYMPOSIUM 1997;
19 - 21 JUNE 1997, Osaka, Japan
- 2) Young Scientist Award for the Presentation of an Excellent Paper
- The 49th Spring Meeting, 2002; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
27 - 30 March 2002, Tokyo, Japan
国内学会発表
- 1）”ガスソース MBE GaP/AlP 超格子の光学特性の成長温度依存性”
- 金竣弘、朝日一、浅見久美子、、金松康、権田俊一
第54回応用物理学会学術講演会予稿集（1993.9.27-30）28aZS-10
- 2）”ZnSe層上へのInAlPのガスソースMBE成長”
- 、朝日一、金竣弘、劉学鋒、権田俊一、川口悦弘、松岡隆志
第41回応用物理学関係連合講演会予稿集（1994.3.28-31) 28aY-5
- 3）”ガスソースMBE GaP/AlP 超格子の周期変化による光学特性”
- 金竣弘、朝日一、浅見久美子、、金松康、権田俊一
第41回応用物理学関係連合講演会予稿集（1994.3.28-31) 28aY-6
- 4) ”p形ZnSeに対する障壁緩和層p形InAlPの低温ガスソースMBE成長”
- 、朝日一、金竣弘、権田俊一
第55回応用物理学会学術講演会予稿集 (1994.9.19-22) 21aMB-5
- 5) ”GaP/AlP超格子のGaInP上へのGSMBE成長”
- 浅見久美子、朝日一、金竣弘、、権田俊一
第55回応用物理学会学術講演会予稿集 (1994.9.19-22) 21pMK-1
- 6) ”p形ZnSeに対する障壁緩和層p形InAlPの低温ガスソースMBE成長(II)”
- 、朝日一、小倉卓、権田俊一、松岡隆志
第42回応用物理学会関係連合講演会予稿集 (1995.3.28-31) 30pZX6
- 7) ”(GaP)1/(AlP)1短周期超格子における光学的特性の面方位依存性”
- 金成珍、朝日一、浅見久美子、江村修一、、小倉卓、権田俊一
第42回応用物理学会関係連合講演会予稿集 (1995.3.28-31) 31pZH8
- 8）”ZnSe/GaAs界面を用いた障壁緩和層ｐ型InAlPのガスソースMBE成長”
- 、朝日一、権田俊一、大木明、松岡隆志
第56回応用物理学会学術講演会予稿集 (1995.8.26-29) 28pW-12
- 9）”イオン除去ラジカルセルを用いた高品質GaNのECR-MBE成長”
- 、朝日一、愈淳載、浅見久美子、藤田秀樹、鮒子田昌広、権田俊一
第43回応用物理学会関係連合講演会予稿集 (1995.3.26-29) 27pZB5
- 10）”TlInPのガスソースMBE成長と結晶性評価”
- 山本和彦、朝日一、、武本美紀、権田俊一
第43回応用物理学会関係連合講演会予稿集 (1995.3.26-29) 26pZC10
- 11）”MBE法ZnO薄膜の電気的特性の成長パラメーター依存性”
- 、ポール・フォンス、仁木栄、山田昭政、松原浩司、渡辺正信、イーブ・ラクロワ
第59回応用物理学会学術講演会予稿集 (1998.9.15-18) 15pYM-14
- 9）”低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大”
- 反保衆志、朝日一、、広木正伸、浅見久美子、権田俊一
電子情報通信学会 信学技報ED98=136,CPM98-139(1995-11) p.19
- 12）”RS(Radical Source)-MBE法ZnO薄膜の電気特性のアニール条件依存性”
- 、高岡拓也、ポール・フォンス、仁木栄、山田昭政、松原浩司、渡辺正信、蟹江壽
第43回応用物理学会関係連合講演会予稿集 (1999.3.28-31) 29pQ-9
- 13）”RS(Radical Source)-MBE法ZnO薄膜への窒素ドーピング”
- 、ポール・フォンス、仁木栄、山田昭政、松原浩司、渡辺正信
第43回応用物理学会関係連合講演会予稿集 (1999.3.28-31) 29pQ-11
- 14) ZnO growth by RS(radical source)MBE，
- 岩田拡也、PaulFons、仁木栄、山田昭政、松原浩司、渡辺正信，
The 18th Electronic Materials Symposium， Izu,Japan、1999/06/01
- 16) Nitrogen induced defects in ZnO:N grown on sapphire substrate by gas source MBE.，
- 岩田拡也、PaulFons、仁木栄、山田昭政、松原浩司、渡辺正信，
7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques，1999/07/01
- 17) RS(radical source)-MBE法によるSi基板上ZnO薄膜成長，
- 岩田拡也、PaulFons、仁木栄、山田昭政、松原浩司、田辺哲弘、高須秀視
、第60回応用物理学会学術講演会，甲南大学（神戸）、1999/09/01
- 18) RS(radical source)-MBE法によるSi基板上ZnO薄膜成長，
- 岩田拡也、PaulFons、仁木栄、山田昭政、松原浩司、田辺哲弘、高須秀視、
ローム株式会社，第60回応用物理学会学術講演会， 、1999/09/01
- 19) 酸化物II-VI族半導体研究の現状と未来，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、仁木栄，
第60回応用物理学会学術講演会， 、1999/09/01
- 20) ZnO growth on Si by Radical Source MBE.，
- 岩田拡也、PaulFons、仁木栄、山田昭政、松原浩司、田辺哲弘、高須秀視、
ローム株式会社，9th International Conference on II-V i compounds， 、1999/11/01
- 21) ラジカル源MBE法によるZnO半導体薄膜の作製，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、仁木栄，
Science Frontier Tsukuba 999， 、1999/11/01
- 22) シリコン基板上成長ZnO薄膜からの高強度PL発光
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄，
第8回SiC及び関速ワイドギャップ半導体研究会， つくば、1999/12/01
- 23) シリコン基板上成長ZnO薄膜からの高強度PL 発光 Strong PL emission from ZnO film on Si，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、ローム株式会社，
第8回SiC及び関速ワイドギャップ半導体研究会， 、1999/12/01
- 24) High quality ZnO thin films grown by RS(radical source)-MBE，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、ローム株式会社
，The Third SANKEN International Symposium， 、1999/12/01
- 25) RS(radical source)-MBE法によるZnO:N+Ga薄膜成長，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄，
第47回応用物理学関係連合講演会， 東京、2000/03/01
- 26) RS(radical source)-MBE法によるZnO:N+Ga薄膜成長，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、ローム株式会社，
第47回応用物理学関係連合講演会， 、2000/03/01
- 27) Improvement of electrical properties in ZnO thin films grown by RS(radical source)-MBE，
- 岩田拡也、PaulFons、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、ローム株式会社，
Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes， 、2000/03/01
- 28) Bandgap engineering of ZnO using Se，
- 岩田拡也、ポールフォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄
The 19th Electronic Materials Symposium， (Izu) Japan、2000/06/01
- 29) ラジカルMBEによるZnOエピタキシャル成長，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄
日本学術振興会(学振)第131委員会研究会， (Osaka) Japan、2000/06/01
- 30) ラジカルMBEによるZnOエピタキシャル成長，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki，
日本学術振興会(学振)第131委員会研究会， 、2000/06/01
- 31) Bandgap engineering of ZnO using Se，
- 岩田拡也、ポールフォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki，
The 19th Electronic Materials Symposium， 、2000/06/01
- 32) RS(radical source)-MBE法によるZnOSe薄膜成長 ZnO:N with Ga film growth by RS(radical source)-MBE.，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄
第61回応用物理学会学術講演会 5aZ-9， 、2000/09/01
- 33) RS(radical source)-MBE法によるZnOSe薄膜成長-ZnO:N with Ga film growth by RS(radical source)-MBE.，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki，
第61回応用物理学会学術講演会 5aZ-9， 、2000/09/01
- 34) ZnOの物性評価とアプリケーション，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄
第1回大阪工業大学バイオベンチャーシンポジウム， (Osaka) Japan、2000/11/01
- 35) ZnOの物性評価とアプリケーション，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki，
第1回大阪工業大学バイオベンチャーシンポジウム， 、2000/11/01
- 36) Improved electrical properties in ZnO semiconductor films grown by radical source MBE.，
- K.Iwata, P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki， THE 12TH MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN SYMPOSIUM， (Kanagawa) Japan、2000/12/01
- 37) Ozone-MBE法によるZnO薄膜成長- ZnO film growth by Ozone-MBE.，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄
第48回応用物理学関係連合講演会 29aK-8， 、2000/12/01
- 38) Improved electrical properties in ZnO semiconductor films grown by radical source MBE.，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki，
THE 12TH MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN SYMPOSIUM， 、2000/12/01
- 39) Ozone-MBE法によるZnO薄膜成長-ZnO film growth by Ozone-MBE.，
- 岩田拡也、ポール、フォンス、山田昭政、松原浩司、中原健、高須秀視、仁木栄、P.Fons、A.Yamada、K.Matsubara、K.Nakahara、H.Takasu、S.Niki，
第48回応用物理学関係連合講演会 29aK-8， 、2000/12/01
- 40) ZnO酸化物半導体による光デバイスの開発（Fablication of opto-electric devices using ZnO oxide semiconductor），
- 岩田 拡也、ﾎﾟｰﾙ ﾌｫﾝｽ、山田 昭政、松原 浩司、中原 健、仁木栄，
Inter Opto 2001，幕張/日本、2001/07/16
- 41) URT-IP法により作製した多結晶ZnO薄膜の電気的特性，
- 岩田 拡也、酒見俊之（住友重機械工業）、Fons James Paul、山田 昭政、松原 浩司、粟井清（住友重機械工業）、山本哲也（高知工科大学）、仁木 栄，
第49回 応用物理学関係連合講演会，東海大学、2002/03/28
- 42) ZnOSe自然超格子の発見，
- 岩田 拡也、山田 昭政、Fons James Paul、松原 浩司、仁木 栄，
第49回 応用物理学関係連合講演会，東海大学、2002/03/29
- 43) 半導体グレードの酸化亜鉛薄膜成長と発光デバイスへの応用，
- 岩田 拡也、山田昭政（光技術研究部門）、ポール・フォンス（光技術研究部門）、松原浩司（光技術研究部門）、仁木栄（光技術研究部門），
NEDO先端技術講座，つくば、2002/11/21
- 44) Liquid Layer Epitaxy (LLE) of ZnO，
- 岩田 拡也、山田昭政（光技術研究部門）、ポール・フォンス（光技術研究部門）、松原浩司（光技術研究部門）、仁木栄（光技術研究部門），
22nd Electronic Material Symposium，滋賀県、2003/07/02
- 45) URT-IP法により作製した多結晶ZnO薄膜のターゲット中Ga含有量依存性，
- 岩田 拡也、松原 浩司、反保 衆志、山田 昭政、Fons James Paul、櫻井 啓一郎、仁木 栄、酒見俊之（住友重機械工業株式会社）、山本哲也（高知工科大学）、粟井清（住重テクニカル株式会社），
第６４回応用物理学会学術講演会，福岡、2003/08/30
- 46) URT-IP法により作製した多結晶ZnO薄膜の電気的特性，
- 岩田 拡也、松原 浩司、Fons James Paul、反保 衆志、山田 昭政、櫻井 啓一郎、仁木 栄、酒見俊之（住友重機械工業株式会社）、山本哲也（高知工科大学）、粟井清（住重テクニカル株式会社），
下田ワークショップ，下田、2003/11/28
- 47) RPD(Reactive Plasma Deposition)法による多結晶ZnO薄膜の不純物混入防止技術，
- 岩田 拡也、松原 浩司、Fons James Paul、反保 衆志、山田 昭政、櫻井 啓一郎、仁木 栄、酒見俊之（住友重機械工業株式会社）、山本哲也（高知工科大学）、粟井清（住重テクニカル株式会社），
第５１回応用物理学関係連合講演会，東京都八王子、2004/03/30
- 48) Reactive plasma deposition (RPD) of ZnO，
- 岩田 拡也、松原 浩司、Fons James Paul、山田 昭政、反保 衆志、石塚 尚吾、櫻井 啓一郎、仁木 栄，
23rd Electronic Material Symposium，伊豆長岡、2004/07/07
- 49) 空間移動ロボットに関する研究(第１報)，
- 岩田 拡也、前川 仁、森川 泰、松本 治、皿田 滋、小森谷 清，
第5回計測自動制御学会 システムインテグレーション部門講演会，つくば、2004/12/17
- 50) 空間移動ロボットに関する研究(第2報)，
- 岩田 拡也、前川 仁、森川 泰、松本 治、皿田 滋、小森谷 清，
ROBOMEC2005，神戸、2005/06/11