Kengo Nishio's Homepage

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last updated 2025.08.08
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Profile
西尾 憲吾(Kengo Nishio)
国立研究開発法人産業技術総合研究所
マテリアルDX研究センター(ウェブサイト
材料プロセスシミュレーションチーム 主任研究員
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央2群
E-mail:k-nishio[*]aist.go.jp([*]を@に変更して使用してください。)
経歴
  • 2004年3月 博士(理学)(慶應義塾大学)
  • 2004年4月 産業技術総合研究所 特別研究員
  • 2006年4月 産業技術総合研究所 研究員
  • 2013年3月 産業技術総合研究所 主任研究員
研究実績

1.最近の研究

2.原子配列分類ソフトウェア

3.原子配列分類法

4.アモルファス材料

5.半導体材料

  • "GaN/SiO2 interface that does not create states within the band gap: A theoretical prediction", K. Nishio, T. Miyazaki, M. Shimizu, Phys. Rev. Materials 5, (2021) 104601.
  • "Ultrathin silicon oxynitride layer on GaN for dangling-bond-free GaN/insulator interface", K. Nishio, T. Yayama, T. Miyazaki, N. Taoka, M. Shimizu, Sci. Rep. 8, (2018) 1391.
  • "Low-strain Si/O superlattices with tunable electronic properties: Ab initio calculations", K. Nishio, A. K. A. Lu, G. Pourtois, Phys. Rev. B 91, (2015) 165303.