氏  名 吉 田  良 行
  性  別
  生  年 1971年
  出身地 大阪府 松原市
  所  属 日本学術振興会 科学技術特別研究員
  勤務先 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1
独立行政法人産業技術総合研究所
(つくば中央第二事業所)
エレクトロニクス研究部門
http://unit.aist.go.jp/nano-ele/
量子凝縮物性グループ
  TEL 0298-61-5379
  FAX 0298-61-5387
  E-mail yoshida.y@aist.go.jp
  個人URL http://staff.aist.go.jp/yoshida.y
 

 
学  歴 平成7年 大阪大学理学部物理学科 卒業
平成9年 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 前期博士課程修了
平成12年 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 後期博士課程修了
   
学  位 博士(理学)(大阪大学)
   
職  歴

平成11年1月〜平成12年 3月
日本学術振興会 特別研究員(大阪大学大学院理学研究科)

平成12年4月〜平成13年12月
イビデン株式会社 技術開発本部

平成14年1月〜平成14年 3月
科学技術振興事業団 科学技術特別研究員(産業技術総合研究所)

平成14年4月〜現在
日本学術振興会 科学技術特別研究員(産業技術総合研究所)

   
研究分野 遷移金属酸化物の浮遊帯域溶融法(FZ法)による単結晶育成と
引き上げ法による金属間化合物の単結晶育成。
および、基礎熱力学的物性測定による新物質・新機能開発。