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産総研
last updated 2024.4.5
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Profile
中村 健(Ken Nakamura)
国立研究開発法人産業技術総合研究所
計量標準総合センター 分析計測標準研究部門(ウェブサイト)キャリアエキスパート
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央事業所2群 2-10棟
TEL:029-861-5300(部門代表電話)
E-mail:ken.nakamura*aist.go.jp(*を@に変更して使用してください。)
学歴
  • 1983年4月 東京大学教養学部理科II類入学
  • 1986年4月 東京大学理学部化学科進学
  • 1988年3月 同上 卒業
  • 1990年3月 東京大学大学大学院理学系研究科修士課程化学専攻修了
経歴
  • 1988年 8月  国家公務員I種採用試験(化学)合格.
  • 1990年 4月 工業技術院電子技術総合研究所(電総研)に採用.
  • 1990年 4月 ~1997年9月 企画室、極限技術部表面制御研究室、極限技術部を経て
  • 1997年 10月 ~2001年3月 極限技術部主任研究官
  • 2001年 4月 独立行政法人産業技術総合研究所(産総研)へ出向.
  • 2001年 4月 ~2005年3月 エレクトロニクス研究部門、極微プロファイル計測研究ラボ、計測フロンティア研究部門を経て
  • 2005年 4月 ~2006年3月 企画本部 企画主幹
  • 2006年 4月 ~2010年9月 計測フロンティア研究部門 活性種計測技術研究グループ 主任研究員.
  • 2010年 10月 ~2013年4月 同研究部門 同研究グループ長.
  • 2013年 5月 ~2015年3月 同研究部門 ナノ顕微分光グループ長.
  • 2015年 4月 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)に改称.(独法通則法及び個別法改正)
  • 2015年 4月 ~2020年3月 計量標準総合センター 分析計測標準研究部門 ナノ分光計測研究グループ長.
  • 2020年 4月 ~2022年3月 同総合センター 同研究部門 応用ナノ計測研究グループ 上級主任研究員.
  • 2022年 4月 ~2024年3月 同研究グループ長.
  • 2024年 4月 ~現 在   同総合センター 同研究部門 キャリアエキスパート.(定年延長による異動)
  •  
  • この間 
  • 2015年 8月 ~2021年3月 つくばイノベーションアリーナ(後のTIA)推進センター 共用施設ステーション付(兼務)(先端ナノ計測施設(ANCF)担当).
  • 2016年 5月 ~2018年3月 計量標準総合センター 分析計測標準研究部門 ナノ顕微計測研究グループ長(兼務).
  • 2021年 4月 ~2023年9月 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション付(兼務) (先端ナノ計測施設(ANCF)リーダー).
  • 2023年10月 ~2024年3月 計量標準総合センター 分析計測標準研究部門付(兼務).
  • 2021年 4月 ~現 在    先端ナノ計測施設(ANCF)(ウェブサイト)施設管理者
研究実績
  1. 誌上発表(解説等を含む)→報文目録 
  2. 口頭発表 (1990~2023) 
    • 国際学会: 50件(うち筆頭21件:IVC/ICSS-2件・AVS-9件・ECOSS-5件・VASSCAA-1件・その他-4件)
    • 国内学会:104件(うち筆頭47件:応物25件・応物(研究会)5件・真空/表面科学15件・物理2件)
    • その他研究集会: 26件(うち筆頭12件)
  3. 知的財産権
    • 特許:国内出願4件(うち登録2件)
  4. 取材記事
    • 「SHG法による固体表面評価システムを開発-電総研」 O plus E 161 (1993) pp.47-48 ((株)新技術コミュニケーションズ) ほか
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