Kengo Nishio's Homepage

産総研
last updated 2023.10.16
写真
Profile
西尾 憲吾(Kengo Nishio)
国立研究開発法人産業技術総合研究所
機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター(ウェブサイト
第一原理計算シミュレーションチーム 主任研究員
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央2群
E-mail:k-nishio[*]aist.go.jp([*]を@に変更して使用してください。)
経歴
  • 2004年3月 博士(理学)(慶應義塾大学)
  • 2004年4月 産業技術総合研究所 特別研究員
  • 2006年4月 産業技術総合研究所 研究員
  • 2013年3月 産業技術総合研究所 主任研究員
研究実績

1.最近の研究

"Unveiling a medium-range structural commonality of amorphous alloys", K. Nishio, A. K. A. Lu, J. Non-Cryst. Solids 624 (2024) 122696.

2.原子配列分類ソフトウェア

"Vorotis", DOI 10.5281/zenodo.6069725.

"Vorotis: Software for Voronoi tessellation analysis using the polyhedron code", K. Nishio, Comput. Phys. Commun. 278 (2022) 108418.

3.原子配列分類法

"Cluster classification by chemi-topology", K. Nishio, Comput. Phys. Commun. 286 (2023) 108659.

"Notation for chemical arrangements in alloys", K. Nishio, T. Miyazaki, Phys. Rev. Research 2 (2020) 023193.

"Describing polyhedral tilings and higher dimensional polytopes by sequence of their two-dimensional components", K. Nishio, T. Miyazaki, Sci. Rep. 7 (2017) 40269.

"How to describe disordered structures", K. Nishio, T. Miyazaki, Sci. Rep. 6 (2016) 23455.

4.アモルファス材料

"Unveiling a medium-range structural commonality of amorphous alloys", K. Nishio, A. K. A. Lu, J. Non-Cryst. Solids 624 (2024) 122696.

"Can every substance exist as an amorphous solid?", K. Nishio, A. K. A. Lu, J. Non-Cryst. Solids 576 (2022) 121254.

"Frank-Kasper Z16 local structures in Cu-Zr metallic glasses", A. K. A. Lu, K. Nishio, T. Morishita, K. Ohara, Z. Lu, and A. Hirata, Phys. Rev. B 102, (2020) 184201.

"Universal short-range order and material dependent glass-forming ability of metallic liquids and glasses", K. Nishio, A. K. A. Lu, T. Miyazaki, Phys. Rev. Research 1, (2019) 012013(R).

"Entropy-driven docosahedral short-range order in simple liquids and glasses", K. Nishio, A. K. A. Lu, T. Miyazaki, Phys. Rev. E 99, (2019) 022121.

"Universal Medium-Range Order of Amorphous Metal Oxides", K. Nishio, T. Miyazaki, H. Nakamura, Phys. Rev. Lett. 111, (2013) 155502.

"Theoretical study of light-emission properties of amorphous silicon quantum dots", K. Nishio, J. Kōga, T. Yamaguchi, and F. Yonezawa, Phys. Rev. B 67, (2003) 195304.

5.半導体材料

"GaN/SiO2 interface that does not create states within the band gap: A theoretical prediction", K. Nishio, T. Miyazaki, M. Shimizu, Phys. Rev. Materials 5, (2021) 104601.

"Ultrathin silicon oxynitride layer on GaN for dangling-bond-free GaN/insulator interface", K. Nishio, T. Yayama, T. Miyazaki, N. Taoka, M. Shimizu, Sci. Rep. 8, (2018) 1391.

"Low-strain Si/O superlattices with tunable electronic properties: Ab initio calculations", K. Nishio, A. K. A. Lu, G. Pourtois, Phys. Rev. B 91, (2015) 165303.