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特許 (58件)

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58.ガスセンサおよびガスセンサの製造方法
特願 2024-74148 (出願日:2024年4月30日)
発明者:増田 佳丈
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

57.魚肉鮮度評価システム、魚肉鮮度評価装置、魚肉鮮度評価方法、魚肉鮮度 評価プログラムおよび記録媒体
特願 2023-050898 (出願日:2023年3月28日)
発明者:伊藤 敏雄、崔 弼圭、増田 佳丈、申 ウソク、他
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所、他

56.ガスセンサおよびセンサデバイス
特願 2022-112025 (出願日:2022年7月12日)
発明者:崔 弼圭、増田 佳丈、江間 巧馬、髙見誠一
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

55.ガスセンサ、Ni含有SnO2ナノシートおよび製造方法
特願 2022-108638 (出願日:2022年7月5日)
発明者:増田 佳丈、李 春艶
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

54.化学成分判定装置、化学成分判定方法、化学成分判定プログラムおよび記録媒体
特願 2022-096485 (出願日:2022年6月15日)
発明者:伊藤 敏雄、申 ウソク、増田 佳丈
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

53.多孔質ZnOナノベルト、ZnOHFナノベルト、多孔質ZnOナノベルトの製造方法およびガスセンサ
特願 2022-079490 (出願日:2022年5月13日)
発明者:増田 佳丈、キム キュソン、崔 弼圭、伊藤 敏雄
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

52.ガスセンサーデバイス及びガス濃度測定方法
特願 2022-003840 (出願日:2022年1月13日)
発明者:崔 弼圭、増田 佳丈
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

51.シート状構造物及びシート状構造物積層体、該シート状構造物及びシート状構造物積層体からなる構造膜、粒子、及びそれらの製造方法、並びに該構造膜、粒子を用いたセンサ
特願 2021-143481 (出願日:2021年9月2日)
発明者:増田 佳丈、李 春艶
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

50.形態が制御された粒子、該粒子からなる構造膜、およびそれらの製造方法、ならびに該構造膜を用いたセンサ
特願 2021-107033 (出願日:2021年6月28日)
発明者:増田 佳丈、魚住 絢子
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

49.複合体及びその製造方法
特願 2020-196028 (出願日:2020年11月26日)
発明者:鶴田 彰宏、村山 宣光、増田 佳丈
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

48.電子デバイス用材料、電子デバイス、センサー素子、およびガスセンサー
特願 2020-103337 (出願日:2020年6月15日)
発明者:増田 佳丈、赤松貴文、鶴田彰宏、他

47.複合構造体およびその製造方法ならびに該複合構造体を利用したセンサ
特許第7311892号 (登録日:2023年7月11日)
特願 2019-207996 (出願日:2019年11月18日)
発明者:増田 佳丈、チェ ピルギュ
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

46.複合構造体およびその製造方法ならびに該複合構造体を用いたセンサ
特開 2021-15069 (P2021-15069A) (公開日:2021年02月12日)
特願 2019-130588 (出願日:2019年7月12日)
発明者:チェ ピルギュ、原 伸生、増田 佳丈
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

45.神経伝達物質の計測方法
特許第7450254号 (登録日:2024年3月7日)
特願2019-120746 (出願日:2019年6月28日)
発明者:山本 慎也、鈴木 祥夫、増田 佳丈、山根 茂、木村 辰雄、高島 一郎、長坂 和明、仲田 真理子、岡田 智、チェ ピルギュ
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

44.超伝導デバイスの製造方法及び超伝導デバイス
特許第7360647号 (登録日:2023年8月29日)
特願2019-99283 (出願日:2019年5月28日)
特開2020-194870(P2020-194870A) 発明者:土屋 雄司、吉田 隆、一野 祐亮、鶴田 彰宏、申 ウソク、増田 佳丈
権利者:国立大学法人東海国立大学機構、国立研究開発法人産業技術総合研究所

43.ブリッジ型の酸化スズ含有シートとその製造方法
特開2020-106445(P2020-106445A) (公開日:2020年7月9日)
特願2018-246542 (出願日:2018年12月28日)
発明者:増田 佳丈、チェ ピルギュ、伊豆 典哉
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所

42.複合体とその製造方法
特願 2018-005022 (出願日:2018年1月6日)
発明者:増田 佳丈、チェ ピルギュ、伊豆 典哉
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所
国際出願番号:PCT/JP2018/042326 出願年月日:2018/11/15
国際公開番号:WO2019/142478(公開日:2019/08/22)

41.構造体、電極部材、および構造体の製造方法
特許第6785010号 (登録日:2020年10月28日)
特願2018-543829 (出願日:2017年9月20日)
特願2016-196125 (出願日:2016年10月4日)
発明者:増田 佳丈、秋本 順二、加藤 一実
権利者:国立研究開発法人産業技術総合研究所
PCT/JP2017/033952(出願日:2019年1月21日)
国際公開番号WO2018/066363(公開日:2018/4/12)

40.センサおよび構造体
特許第6360373号 (登録日:2018年6月29日)
特開2016-17760 (公開日:2016年2月1日)
特願2014-138669 (出願日:2014年7月4日)
発明者:増田 佳丈、伊藤 敏雄、申 ウソク、加藤 一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

39.構造体の製造方法、および構造体
特許第5559640号 (登録日:2014年6月13日)
特開2012-48912 (公開日:2012年3月8日)
特願2010-188665 (出願日:2010年8月25日)
発明者:増田 佳丈、大司 達樹、加藤 一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

38.Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム及びそれらの作製方法
特許第5339372号 (登録日:2013年8月16日)
特開2011-111346 (公開日:2011年6月9日)
特願2009-267802 (出願日:2009年11月25日)
発明者:胡 秀ラン、増田 佳丈、加藤 一実、大司 達樹
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

37.二酸化チタン系デバイス、多針体二酸化チタン粒子の製造方法、および多針体二酸化チタン粒子コーティングの製造方法
特許第5360982号 (登録日:2013年9月13日)
特開2011-42535 (公開日:2011年3月3日)
特願2009-192434 (出願日:2009年8月21日)
発明者:増田 佳丈、加藤 一実、大司 達樹
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

36.酸化亜鉛ロッド状結晶のツイン連結構造体、ツイン連結構造膜、及びツイン連結構造膜の製造方法
特許第5669048号 (登録日:2014年12月26日)
特願2011-524715 (2010年6月25日)
(特願 2009-178879 (出願日:2009年7月31日) )
国際出願番号:PCT/JP2010/061295 出願年月日:H21/06/25
国際公開番号: WO2011/013477 A1 国際公開日:2011年2月3日
発明者:胡 秀ラン、増田 佳丈、加藤 一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

35. センサ用の電極およびセンサ
特許第5154346号 (登録日:2012年12月14日)
特開2010-60461 (公開日:2010年3月18日)
特願2008-227389 (出願日:2008年9月4日)
発明者:増田 佳丈、加藤 一実、曽根崎 修司、安心院 雅子、戸次 允
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所、TOTO株式会社
国際出願番号:PCT/JP2009/065328 出願日:H21/09/02
国際公開番号:WO 2010/026985 公開日:H22/03/11

34.ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法
特許第5540365号 (登録日:2014年5月16日)
特開2009-167038(P2009-167038A) (公開日:2009年7月30日)
特願2008-005051 (出願日:2008年1月11日)
発明者:胡 秀ラン、増田 佳丈、加藤 一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

33. ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法
特許第5136982号 (登録日:2012年11月22日)
特開2009-167037(P2009-167037A) (公開日:2009年7月30日)
特願 2008-005050 (出願日:2008年1月11日)
発明者:胡 秀ラン、増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

32. ZnOロッドアレイ及びその作製方法
特願 2007-268415 (出願日:2007年10月15日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

31. ナノ結晶集積TiO2及びその作製方法
特許第4997569号 (登録日:2012年5月25日)
特開2009-67655(P2009-67655A) (公開日:2009年4月2日)
特願2007-240236 (出願日:2007年9月14日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

30. バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法
特許第5136976号 (登録日:2012年11月22日)
特願2007-236341 (出願日:2007年9月12日)
特開2009-67622(P2009-67622A) (公開日2009年4月2日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所
国際出願番号:PCT/JP2008/066352 出願年月日:H20/09/10
米国特許番号:US 8715811 B2 (登録日:2014/5/6)
米国特許出願番号:US 12/677,633 出願年月日:H20/09/10
米国特許公開番号:US2010/0183854 A1 公開年月日:H22/07/22

29. 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法
特許第5099324号 (登録日:2012年10月5日)
特開2009-46358(P2009-46358A) (公開日2009年3月5日)
特願2007-215015 (出願日:2007年8月21日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

28. エピタキシャルナノTiO2粒子コーティング及びその作製方法
特許番号 第4958086号 (登録日:2012年3月30日)
特開2009-023854 (公開日2009年2月5日)
特願2007-186306 (出願日:2007年7月17日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

27. Zn5(CO3)2(OH)6結晶自立膜及びその作製方法
特許番号 第5176224号 (登録日:2013年1月18日)
特開2009-13039(P2009-13039A) (公開日:2009年1月22日)
特願2007-180261 (出願日:2007年7月9日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

26. 超親水性/疎水性パターン化表面、アナターゼTiO2結晶パターン及びそれらの作製方法
特開2009-13038 (公開日:2009年1月22日)
特願2007-180260 (出願日:2007年7月9日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

25. In2O3薄膜パターン、In(OH)3薄膜パターン及びそれらの作製方法
特許番号 第4649599号 (登録日:2010年12月24日)
特開2008-297169(P2008-297169A) (公開日:2008年12月11日)
特願 2007-146306 (出願日:2007年5月31日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

24. ZnO ウィスカー膜及びその作製方法
特開2008-297168(P2008-297168A) (公開日:2008年12月11日)
特願 2007-146232 (出願日:2007年5月31日)
発明者:胡 秀ラン、増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所
米国特許出願番号:US 12/129,099
米国特許出願年月日:May 29, 2008

23. 板状結晶のBaTiO3、その前駆体、それらの製法及びグリーンシート
特許4956265 (登録日:2012年3月23日)
特願2007-113580 (出願日:2007年4月23日)
特開2008-266086(P2008-266086A) (公開日:2008年11月6日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁、上山竜祐
権利者:大研化学工業株式会社

22. 針状結晶のBaTiO3、その前駆体、それらの製法及びグリーンシート
特許5273940 (登録日:2013年5月24日)
特願2007-113579 (出願日:2007年4月23日)
特開2008-266085(P2008-266085A) (公開日:2008年11月6日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁、上山竜祐
権利者: 大研化学工業株式会社

21. ナノ針状アナターゼTiO2結晶集積粒子と多孔質アナターゼTiO2結晶膜及びそれらの作製方法
特許5263750 (登録日:2013年5月10日)
特開2008-254983(P2008-254983A) (公開日:2008年10月23日)
特願 2007-100949 (出願日:2007年4月6日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

20.ZnOウィスカー、ZnOウィスカー膜およびそれらの作製方法
特許4899229 (登録日:2012年1月13日)
特開2008-230895(P2008-230895A) (公開日:2008年10月2日)
特願2007-072248 (出願日:2007年3月20日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

19.Al含有アモルファスマトリックス中に固定化したZnOナノ粒子及びその作製方法
特開2008-169054 (公開日:2008年7月24日)
特願2007-001182 (出願日:2007年1月9日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

18.高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法
特許番号 第4665175 (登録日:2011年1月21日)
特開2008-169053(P2008-169053A) (公開日:2008年7月24日)
特願2007-001141 (出願日:2007年1月9日) 
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

17.Euドープ酸化イットリウムナノ粒子薄膜パターン及びその作成方法
特開2008-87096 (P2008-87096A) (公開日:2008年4月17日)
特願2006-269513 (出願日:2006年9月29日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所
国際出願番号:PCT/JP2007/069107 出願年月日:H19/09/28

16.酸化亜鉛粒子ならびに酸化亜鉛粒子膜及びそれらの作製方法
特許番号 第4803443 (登録日:2011年8月19日)
特開2008-81363 (P2008-81363A) (公開日2008年4月10日)
特願2006-263562 (出願日:2006年9月27日)
発明者:増田佳丈、加藤一実
権利者:独立行政法人産業技術総合研究所

米国特許公開番号:US 2010/0028254 A1 ( H22/02/04 )
国際出願番号:PCT/JP2007/068727 出願年月日:H18/09/26
米国特許出願番号:US 12/442,615 ( H19/09/26 )
米国特許出願年月日:March 24, 2009

15.磁性タイルおよび磁性タイルの製造方法
特許番号 第4931401 (登録年月日:2012年2月24日)
特開2007-131490(P2007-131490A) (公開日2007年5月31日)
特願2005-326341 (出願日:2005年11月10日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁、濱田美子
権利者:国立大学法人名古屋大学、立風製陶株式会社

14.粒子集積体およびその製造方法
特許番号 第4613308 (登録日:2010年10月29日)
特開2006-159166(P2006-159166A) (公開日2006年6月22日)
特願2004-358939 (出願日:2004年12月10日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:国立大学法人名古屋大学

13.金属コーティング方法
特許番号 第4565181 (登録日:2010年8月13日)
特開2006-77312(P2006-77312A) (公開日2006年3月23日)
特願2004-265321 (出願日:2004年9月13日)
発明者:河本邦仁、増田佳丈、諸 培新、沢田 享
権利者:国立大学法人名古屋大学

12.異径微粒子団集積体の製造方法、異径微粒子団集積体及び異径微粒子団細線アレイ
特許番号 第4546129号 (登録日:2010年7月9日)
特開2005-300767 (公開日:2005年10月27日)
特願2004-114500 (出願日:2004年4月8日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人 科学技術振興機構

11.微粒子集積体の製造方法及び微粒子細線アレイ
特許番号 第4679832号 (登録日:2011年2月10日)
特開2005-296747 (公開日:2005年10月27日)
特願2004-114228 (出願日:2004年4月8日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:独立行政法人 科学技術振興機構

10.誘電体薄膜の作成方法
特許番号 第4351478号(P4351478)(登録日:2009年7月31日)
特開2005-011664 (公開日:2005年1月13日)
特願2003-174214 (出願日:2003年6月19日)
発明者:高 彦峰、増田佳丈、河本邦仁
権利者:大研化学工業株式会社

9.タンタルオキサイド薄膜の作成方法
特開2005-008467 (公開日:2005年1月13日)
特願2003-172803 (出願日:2003年6月18日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:財団法人 名古屋産業科学研究所

8.表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液
特許番号 第4189863号 (登録日:2008年9月26日)
特開2005-007379 (公開日:2005年1月13日)
特願2003-324238 (出願日:2003年9月17日)
発明者:諸 培新、増田佳丈、寺西 慎、高井 治、河本邦仁
権利者:財団法人 名古屋産業科学研究所
特願2003-150799 (出願日:2003年5月28日)

7. 微粒子集積体の形成方法
特開2004-344854 (公開日:2004年12月9日)
特願2003-148094 (出願日:2003年5月26日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:財団法人 名古屋産業科学研究所

6. 金属皮膜形成方法及びセラミックス電子部品の製造方法
特許番号 第4131815号 (登録日:2008年6月6日)
特開2004-200190 (公開日:2004年7月15日)
特願2002-363249 (出願日:2002年12月16日)
発明者:河本邦仁、増田佳丈、諸 培新、上山竜祐、原田昭雄
権利者:河本邦仁、大研化学工業株式会社

5. 金属粒子のパターニング方法およびこれを用いたセラミックス電子部品の製造方法
特許番号 第4378073号(P4378073) (登録日:2009年9月18日)
特開2004-067428 (公開日:2004年3月4日)
特願2002-227796 (出願日:2002年8月5日)
発明者:河本邦仁、増田佳丈、原田昭雄
権利者:河本邦仁、大研化学工業株式会社

4. 領域選択析出方法
特開2003-328140 (公開日:2003年11月19日)
特願2002-137641 (出願日:2002年5月13日)
発明者:増田佳丈、河本邦仁
権利者:財団法人 名古屋産業科学研究所

3.フォトニック結晶及びその製造方法
特許番号 第4072197号 (登録日:2008年1月25日)
特開2002-341161 (公開日:2002年11月27日)
特願2001-151248 (出願日:2002年5月15日)
発明者:河本邦仁、増田佳丈、原田昭雄、大川隆
権利者:河本邦仁、大研化学工業株式会社

2. パターン形成方法、および、このパターン形成方法により製造された電子デバイス、光学素子、光触媒性部材
特開2002-169303 (公開日:2002年6月14日)
特願2001-283886 (出願日:2001年9月18日)
優先権主張番号: 特願2000-282927
優先日 2000年9月19日
発明者:下吹越光秀、河本邦仁、増田佳丈
権利者:東陶機器株式会社

1. 自己組織膜及びチタンアルコキシドを用いた二酸化チタン薄膜のマイクロパターニング
特願2000-282927 (出願日:2000年9月19日)
発明者:下吹越光秀、河本邦仁、増田佳丈
権利者:東陶機器株式会社



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【登録特許:32件】(2023/6/12)
1.特許第4072197号「フォトニック結晶及びその製造方法」
2001年出願、2008年登録
全発明者氏名:河本邦仁、増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、原田昭雄、大川隆
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4072197/C9BE87ED0CD4EA74855D85F15EC2A54C8927836A31934D3D921B56B8B4782358/15/ja

2.特許第4378073号「金属粒子のパターニング方法及びこれを用いたセラミックス電子部品の製造方法」
2002年出願、2009年登録
全発明者氏名:河本邦仁、増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、原田昭雄
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4378073/D9A9ED28CF97FFFEBC48DC6429B5566D8F4BF2F062A9B82B0427FD9D0E7FEA86/15/ja

3.特許第4131815号「金属皮膜形成方法及びセラミックス電子部品の製造方法」
2002年出願、2008年登録
全発明者氏名:河本邦仁、増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、諸 培新、上山竜祐、原田昭雄
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4131815/D80CAAA1DD7DB35D33C314FFCC916A452EF88DAD670A4A01AEF490E646BE8D83/15/ja

4.特許第4189863号「表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液」
2003年出願、2008年登録
全発明者氏名:諸 培新、増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、寺西 慎、高井 治、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4189863/1677627181F31FA0CCED6D14B1DE6151F25929224D747E3A29A4BE4209931043/15/ja

5.特許第4351478号「誘電体薄膜の作成方法」
2003年出願、2009年登録
全発明者氏名:高 彦峰、増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4351478/C8E1E2230ACE4AB6C7B50EDE4E6502DBE3C75A49DE98CF16F74929718AFD8FAA/15/ja

6.特許第4679832号「微粒子集積体の製造方法及び微粒子細線アレイ」
2004年出願、2011年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4679832/BD6D368C31F96AAB9BEA9BBC66B8ABDF471A5F3DE272EE8497C15DB5C7701E91/15/ja

7.特許第4546129号「異径微粒子団集積体の製造方法、異径微粒子団集積体及び異径微粒子団細線アレイ」
2004年出願、2010年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4546129/D80D41110AF1EA76FEDC3EE7D9BBBF05CDF48628E8B7E4457619215C2D4124B3/15/ja

8.特許第4565181号「金属コーティング方法」
2004年出願、2010年登録
全発明者氏名:河本邦仁、増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、諸 培新、沢田 享
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4565181/F7F32EF821261DD835D55BAC66D6865122588534D61F3ECA2E2E56D4A2E359A6/15/ja

9.特許第4613308号「粒子集積体およびその製造方法」
2004年出願、2010年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4613308/18998E847BA2DE9E67F8B9C9BEE371E86C44A1F4235017CDCE6A76CEFE3F60D7/15/ja

10.特許第4931401号「磁性タイルおよび磁性タイルの製造方法」
2005年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁、濱田美子
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4931401/34D6EAC4A1D4A33D336BD4ABBB8146D87F7F2683905360B1431877C04E5339D1/15/ja

11.特許第4803443号「酸化亜鉛粒子ならびに酸化亜鉛粒子膜及びそれらの作製方法」
2006年出願、2011年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4803443/FD2D2D380C7890D6EA80549165E3A5A6FD4AD9F2E5ABD946395425FE179AD63F/15/ja

12.特許第4665175号「高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法」
2007年出願、2011年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4665175/5CE0BF702C80C8832417BC67010675323BE2BDB7A0C938729377027A7D20422A/15/ja

13.特許第4899229号「ZnOウィスカー、ZnOウィスカー膜およびそれらの作製方法」
2007年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4899229/2E1B02792FE606B1EB64EE126A058B77FDA1B16D3649196DA2CF9A643131BF14/15/ja

14.特許第5263750号「ナノ針状アナターゼTiO2結晶集積粒子と多孔質アナターゼTiO2結晶膜及びそれらの作製方法」
2007年出願、2013年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5263750/FDB85D40C72C24398FB583C327D8312B69172B23459B990CB07B27607A6F1EC0/15/ja

15.特許第5273940号「針状結晶のBaTiO3、その前駆体、それらの製法及びグリーンシート」
2007年出願、2013年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁、上山竜祐
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5273940/0B625CB3532AC2EA8EE536679FA14DF25262AA0BF175F7CAEEB728FC357273AB/15/ja

16.特許第4956265号「板状結晶のBaTiO3、その前駆体、それらの製法及びグリーンシート」
2007年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁、上山竜祐
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4956265/504A078DA3E057A7B68FC22AC2F2119544DCF25EAF5E9F2D548C59A2ED4ADC26/15/ja

17.特許第4649599号「In2O3薄膜パターン、In(OH)3薄膜パターン及びそれらの作製方法」
2007年出願、2010年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4649599/3A4090D6245AD80EDA9CB4967B4FEAC4A75ED93E55BF63C666C77743E179576B/15/ja

18.特許第5176224号「Zn5(CO3)2(OH)6結晶自立膜及びその作製方法」
2007年出願、2013年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5176224/F3E18A164F9FA2868825C931B232F5C612391846DDF6C6554EE631F7DBA7D60F/15/ja

19.特許第4958086号「エピタキシャルナノTiO2粒子コーティング及びその作製方法」
2007年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4958086/6C91C6B5AC8DFCE94BB5577E9143AB0100CCB7374547CA4D9B389C42B6DC9C0E/15/ja

21.特許第5099324号「多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法」
2007年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5099324/EFA20457A27028A676E907B2FB286A82E52EC4CDD0C36D9D80D571A1DEA53742/15/ja

22.特許第5099324号「バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法」
2007年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(名古屋大学大学院 助手)、河本邦仁
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5136976/38D6D684BD9C64A0763194F055FAAA181B2E3EF4BCF630D8A4DE518EF30564ED/15/ja

23.特許第4997569号「ナノ結晶集積TiO2及びその作製方法」
2007年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-4997569/BDD0F2B9BEA2E869EDC8853EF85EB1E4CF66D8517B9219F92BC6C424601A2F4B/15/ja

24.特許第5136982号「ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法」
2008年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5136982/C084093967C12BD2F19D027C9A24545AE88BBBA51A4D729FAF31E5732FC802DF/15/ja

25.特許第5540365号「ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法」
2008年出願、2014年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5540365/B0DEE99A075C30AFD94A45E762842B3933A03D9B097651996B426DE5890CFED2/15/ja

26.特許第5154346号「センサ用の電極およびセンサ」
2008年出願、2012年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実、曽根崎修司、安心院雅子、戸次允
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5154346/F37B439E80775C00B0E40A4E9BD8A4284859C16DA6BCB67D6DD3A8BEFE6B8B1C/15/ja

27.特許第5669048号「酸化亜鉛ロッド状結晶のツイン連結構造体、ツイン連結構造膜、及びツイン連結構造膜の製造方法」
2010年出願、2014年登録
全発明者氏名:胡 秀ラン、増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5669048/8A4306CC7527639ADA4A61047A4F08AAD7F24C4F4752A69D80DD88204C44C854/15/ja

28.特許第5360982号「二酸化チタン系デバイス、多針体二酸化チタン粒子の製造方法、および多針体二酸化チタン粒子コーティングの製造方法」
2009年出願、2013年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実、大司達樹
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5360982/A8429C98686F7794F0FCD2109574534CA316407ABEDFA998F726F4E2115D6F6E/15/ja

29.特許第5339372号「Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム及びそれらの作製方法」
2009年出願、2013年登録
全発明者氏名:胡 秀ラン、増田佳丈(産業技術総合研究所 研究員)、加藤一実、大司達樹
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5339372/ECFBCD976CB3FEA88847BA25214FF9C012DBFF544AA5E92E67313F3AD885A4E0/15/ja

30.特許第5559640号「構造体の製造方法」
2010年出願、2014年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 主任研究員)、大司達樹、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-5559640/60576EA656A44ABEE6FA453C6F38D4E8207CB5335D80DF6CD454EAC51D7DE0F5/15/ja

31.特許第6360373号「センサ及び構造体」
2014年出願、2018年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 主任研究員)、伊藤敏雄、申ウソク、加藤一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-6360373/9F729B6F1EB03295C1D159084C45C0CE677599FCAFA7C6C87F5F3EFEF4315C05/15/ja

32.特許第6785010号「構造体、電極部材、および構造体の製造方法」
2017年出願、2020年登録
全発明者氏名:増田佳丈(産業技術総合研究所 主任研究員)、秋本 順二、加藤 一実
URL:https://www.j-platpat.inpit.go.jp/c1800/PU/JP-6785010/6FC88A4432BA90F70BFCE069FE6649C868D5C258CBF41A24F13367A310D84A00/15/ja
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